• صفحه اصلی
  • سایت دانشگاه
  • اخبار دانشگاه

دانشگاه فردوسی مشهد | Ferdowsi University of Mashhad

  • صفحه اصلی
  • لیست مقالات
  • لیست کتاب ها
  • تماس با ما

بازگشت به فرم جستجو »

نمایش نتایج جستجو برای

کلمات کلیدی: MESFET


موارد یافت شده: 7

1 - A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel (چکیده)
2 - Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics (چکیده)
3 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
4 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
5 - IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER (چکیده)
6 - Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side (چکیده)
7 - Light Effect in photoionization of Traps in GaN MESFETs (چکیده)
  • قاسم براتی دربند
  • GIS
  • مدل سازی اقلیم
  • شهر مشهد
  • جمعیت
  • زائران
  • زائر
  • fluoride
  • مدیریت منابع انسانی
  • نوقابی
  • احمد مطر
  • پارسافر
  • سازوکارهای حقوقیِ حمایت از
  • شیما ابراهیمی
  • حسینی
  • دوازدهمین کنگره ی بین المللی
  • شیما ابراهیمی
  • 51
  • شهرستانی
  • آرزو علیخانی
  • ایمان قلندریان
  • آرزو علیخانی
  • هومن قهرمانی
  • حسین معروفی
  • حسین
  • HSE
  • بینالود
  • خواجه مراد
  • آلومینیوم
  • سید محمود موسوی

پیوندها

  • صفحه اصلی
  • مرور بر اساس سال
  • تماس با ما
  • مقالات
  • نقشه سایت

لینک های پیشنهادی

  • صفحه اصلی
  • سایت اصلی دانشگاه فردوسی مشهد
  • سایت خبری دانشگاه فردوسی مشهد
  • بانک مقالات و همایشهای دانشگاه فردوسی مشهد
  • سایت خبری مرکز دانلود دانشگاه فردوسی مشهد
دانشگاه فردوسی مشهد | Ferdowsi University of Mashhad
  • ايران، مشهد، ميدان آزادی، دانشگاه فردوسی مشهد
  • تلفن:38803000 051
  • كدپستي: 9177948974
  • پست الکترونیک: webmaster@um(dot)ac(dot)ir

© تمامی حقوق برای این سایت محفوظ است.

مقالات دانشگاهی|مقالات دانشگاه