• صفحه اصلی
  • سایت دانشگاه
  • اخبار دانشگاه

دانشگاه فردوسی مشهد | Ferdowsi University of Mashhad

  • صفحه اصلی
  • لیست مقالات
  • لیست کتاب ها
  • تماس با ما

بازگشت به فرم جستجو »

نمایش نتایج جستجو برای

کلمات کلیدی: MESFET


موارد یافت شده: 7

1 - A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel (چکیده)
2 - Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics (چکیده)
3 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
4 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
5 - IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER (چکیده)
6 - Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side (چکیده)
7 - Light Effect in photoionization of Traps in GaN MESFETs (چکیده)
  • زمان واکنش
  • فتوکاتالیست
  • تأویل
  • قائمی
  • امام رضا
  • امام رضا
  • امام رضا
  • حقوق
  • مهدیه چیتی
  • چغندر
  • ویرانی
  • چچم
  • محمود فغفور مغربی
  • مغربی
  • حسینی سنو
  • شهباز محسنی
  • مرجان قائمی
  • دام
  • دام
  • گیاهان زینتی
  • Nazari
  • ارزیابی عملکرد کارکنان
  • مرجان قائمی
  • مرجان قائمی
  • مرجان قائم
  • مرجان قائمی
  • هوش مصنوعی
  • پهلوان
  • خاک
  • موذن زاده

پیوندها

  • صفحه اصلی
  • مرور بر اساس سال
  • تماس با ما
  • مقالات
  • نقشه سایت

لینک های پیشنهادی

  • صفحه اصلی
  • سایت اصلی دانشگاه فردوسی مشهد
  • سایت خبری دانشگاه فردوسی مشهد
  • بانک مقالات و همایشهای دانشگاه فردوسی مشهد
  • سایت خبری مرکز دانلود دانشگاه فردوسی مشهد
دانشگاه فردوسی مشهد | Ferdowsi University of Mashhad
  • ايران، مشهد، ميدان آزادی، دانشگاه فردوسی مشهد
  • تلفن:38803000 051
  • كدپستي: 9177948974
  • پست الکترونیک: webmaster@um(dot)ac(dot)ir

© تمامی حقوق برای این سایت محفوظ است.

مقالات دانشگاهی|مقالات دانشگاه